金屬膜電容因為有自愈能力，所以這類電容器是當前用途最廣泛也最具有未來市場的電容器。

  金屬膜電容的自愈有兩種不同的機理：一種是放電自愈；另一種是電化學自愈。前者發生在電壓較高下，所以也簡稱為高壓自愈；因為后者在電壓很低的情況下也出現，所以常簡稱為低壓自愈。
1 放電自愈
  為了說明放電自愈的機理，假設在兩個金屬化電極間的有機薄膜中某處有一疵點，其電阻為R。按疵點的性質，它可能是金屬性疵點，也可能是半導體或劣質絕緣性疵點。顯然，當疵點是前一種時，在低電壓下，電容器就已經發生放電自愈。而只有在后一種疵點情況下，才出現所謂高壓放電自愈。
放電自愈的過程是，在金屬膜電容上施加電壓V后，立刻有歐姆電流I=V/R通過疵點。因此流經金屬化電極的電流密度J=V/Rπr2，即是在金屬化電極內，離疵點越近的區域（即r越小），其電流密度越大。由于疵點功耗W=(V2/R)r引起的焦爾熱，是半導體性或絕緣性疵點的電阻R成指數性下降。因此電流I和功耗W又迅速增大，結果在金屬化電極離疵點很近的區域中，電流密度J1= J=V/πr12急劇上升到其焦爾熱能將該區金屬化層的熔化，引起電極間在此處飛弧，電弧很快蒸發和拋散掉該處熔融金屬，形成無金屬層的絕緣隔離區，電弧熄滅，實現自愈。

2 電化學自愈
  金屬膜電容在低壓下，常出現這種自愈。這種自愈的機理如下：若在金屬膜電容的介質薄膜中有一疵點，在電容器上加上電壓以后（即使電壓很低），通過疵點將有較大的漏電流，表現為電容器的絕緣電阻遠低于技術條件中的規定值。顯然，在漏電流中含有離子電流，也可能含有電子電流。因為各種有機薄膜都有一定的吸水率（0.01%~0.4%），且在電容器制造、儲存和使用過程中，電容器可能受潮，所以在離子電流中會有相當一部分是因水被電解而產生的O2-離子和H-離子電流。O2-離子到達AL金屬化陽極以后，與AL結合形成AL2O3。隨著時間的增長，逐漸形成AL2O3絕緣層將疵點覆蓋和隔離，從而電容器絕緣電阻大為提高，達到自愈。
  金屬膜電容要完成自愈，需要一定的能量，這是顯而易見的。其能量有兩個來源，一個是來自電源，另一個是來自疵點部分金屬的氧化和氮化放熱反應，對自愈所需要的能量常稱為自愈能量。

3 自愈的利弊
  金屬膜電容的最大特點是具有自愈能力，因此自愈所帶來的好處是主要的，但是，它也有不利之處，其中最大的害處就是自愈時造成電流脈沖，給電路帶來信號干擾，降低電路的重要性能——信噪比。所以對于一些要求特別高的電路，如高保真音響電路、高精度通信電路等，不能讓有機薄膜電容器在工作時發生自愈。
  自愈的另一害處，是使用電容器的容量逐漸減少。若電容量在工作時，自愈次數很多，就會導致其容量和絕緣電阻顯著變小、損耗角大幅度上升，使電容器很快失效。